测量半导体霍尔系数,根据霍尔系数的符号可以判断材料的导电类型;根据霍尔系数及其与温度的关系,可以计算载流子的浓度,以及载流子浓度同温度的关系,由此可确定材料的禁带宽度和杂质电离能;通过霍尔系数和电阻率的联合测量,能够确定载流子的迁移率;用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布;测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。霍尔效应是半导体磁敏器件的物理基础。1980年发现的量子霍尔效应对科技进步具有重大意义。早期测量霍尔系数采用矩形薄片样品以及“桥式”样品。1958年范德堡提出对任意形状样品电阻率和霍尔系数的测量方法,这是一种有实际意义的重要方法,目前已被广泛采用。